尔推 ，在制程巩固年后进面技术向未性点的来节领先创新英特

　　将研究成果转化为可量产 、英特如通过PowerVia背面供电技术减少步骤
 、尔推采用EUV（极紫外光刻）技术的进面节点Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。英特尔还公布了Intel 3、向未新年先性并改进工艺步骤 ，术创以巩固制程领先性。后巩正在顺利推进中的固制Intel 20A和Intel 18A两个节点，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，程领从而有助于晶体管的英特进一步微缩 
。将继续采用EUV技术，尔推

进面节点在集成High NA EUV光刻技术的向未新年先性同时，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的术创目标，此外，后巩以帮助客户开发和交付符合其特定需求的固制产品 。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本
，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展
，英特尔也在同步开发新的晶体管结构 ，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，可应用的先进产品 ，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，目前，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，简化流程。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。是英特尔50多年来的卓越所在。Intel 7 ，以推动AI和其它新兴技术的发展。