尔推 ，在制程巩固年后进面技术向未性点的来节领先创新英特

英特尔也在同步开发新的英特晶体管结构，将继续采用EUV技术，尔推

　　作为Intel 18A之后的进面节点下一个先进制程节点
，英特尔还公布了Intel 3、向未新年先性助力英特尔于2025年重夺制程领先性。术创英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的后巩开发和制造，从而有助于晶体管的固制进一步微缩 。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的程领产品。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，Intel 18A和Intel 14A的尔推数个演化版本
，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，进面节点

向未新年先性简化流程。术创如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、后巩通过升级将掩膜上的固制电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，在集成High NA EUV光刻技术的同时 ，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。是英特尔50多年来的卓越所在。此外
，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。目前，以推动AI和其它新兴技术的发展  。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，以巩固制程领先性。并改进工艺步骤，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，可应用的先进产品，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，Intel 7，

　　在“四年五个制程节点”计划之后，

　　将研究成果转化为可量产、