美企米良改善赶超台积3纳携手希望电率
，三星

以便于在3纳米工艺上赶超台积电
。星携该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的手美善纳技术。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，米良三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间
，率希

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的望赶问题，并取得了令人满意的超台结果 。据报道 ，积电星携

良率不超过20%，手美善纳因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，米良该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上
。率希是望赶由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的 。以提高其半导体芯片在生产过程中的超台良率 ，



    报道中称 ，积电自5纳米制程开始一直存在良率问题，星携

    IT之家了解到，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕  。三星电子先进制程良率非常低
，ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，量产进度陷入瓶颈 。三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作，帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。    援引韩媒Naver报道，