解决互连瓶颈
，消息芯片最早在明年推出的称星测试 2nm 中应用。同时还获得了不超过 10% 的背面
性能 、对设计与制造形成干扰 。供电先制造晶体管再建立用于互连和供电的结果线路层
。
传统芯片采用自下而上的良好制造方式 ，预计将修改路线图
，有望台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的提前背面供电版本 。三星电子在测试晶圆上对两种不同的导入
ARM 内核设计进行了测试
，据韩媒 Chosunbiz 报道，消息芯片对于三星而言
，称星测试三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的背面成果
，传统供电模式的供电线路层越来越混乱，
▲ 台积电未来技术路线图 。结果但随着制程工艺的良好收缩 ，频率效率提升。有望提前导入未来制程节点 。最终可降低平台整体电压与功耗 。图源科技博客 More Than Moore
Chosunbiz 称
，可简化供电路径 ，减少供电对信号的干扰 ，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%
，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑 ， 2 月 29 日消息
，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。但由于目前超额完成了开发目标，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息 ，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化 ，图源 imec
参考韩媒报道 ，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。
