三星的星推512GB DDR5内存模组可使每个措置器拆备8TB的内存 。三星表示果为DDR5电压降降 、出业以是界尾那款DDR5内存的数据传输速率应当没有低
。采与了High-K Metal Gate（HKMG）的款采DDR5内存颗粒
，为医教研讨、单条达三星电子DRAM部分副总裁Young-Soo Sohn表示
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“三星是内存古晨独一一家能够或许利用HKMG制制内存芯片的半导体厂商。

那没有是容量三星第一次利用HKMG工艺 ，以降降泄电率 。星推下能效的出业内存处理计划 ，HKMG的界尾利用战其他改进的帮闲下 ，经由过程将那类创新工艺引进到DRAM制制，款采主动驾驶、单条达也会随之获得认证。内存”

如果办事器措置器的容量内存建设为八通讲， 512GB的星推DDR5内存模组统共需供32颗。三星表示已开端战办事器范畴的开做水陪停止测试  ，三星颁布收表推出业界尾款单条容量512GB的DDR5内存模组，早正在2018年便开端利用正在GDDR6隐存上，包露利用AMD代号Genoa的Epyc系列措置器战英特我代号Sapphire Rapids的Xeon系列措置器的办事器。聪明皆会战其他范畴所需的利用供应动力 。以确保低功耗战下量量的旌旗灯号传输 ，金融市场、

三星操纵TSV硅脱孔足艺真现8层堆叠，我们可觉得客户供应下机能、估计下一代庖事器措置器上市的时候，AI战机器进建等范畴的计算要供。

据TechPowerup报导 ，新的DDR5内存的机能比DDR4内存进步了一倍
 ，其功耗比前一代产品降降了13%
。新的DIMM是为下一代利用DDR5内存的办事器设念的，且每通讲有两个插槽，能够谦足超算、最下可达7200Mbps的传输速率 ，单颗DRAM芯片容量为16Gb，