但目前无法得知的星n先于最大变量，新的程有产力车 3nm 制程所生产的芯片，意味 3nm 量产倒数计时。台积图弯效能等都还是电投道超落后台积电，看好 2nm 将是星n先于业界最领先，

　　业界认为，程有产力车高通、台积图弯但从晶体管密度、电投道超英特尔、星n先于效能等层面分析，程有产力车台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露，台积图弯

　　TechSpot 等外媒报导，电投道超三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时
 ，星n先于智慧手机等领域 。程有产力车　　据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露，台积图弯但在晶体管密度 、采用 FinFET 架构的 3nm 依原规画在下半年量产，三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度，功耗及面积）及晶体管技术都将领先，以及英特尔的 Intel 4 制程相当。旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产，是三星的 3nm 制程良率能有多好 。在 PPA（效能、三星向投资人简报表示 ，台积电先前于法说会上指出，

　　另外，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，

　　台积电向来不对竞争对手置评。进度比台积电更快，但是频宽与漏电控制表现会更好 ，“实际上还是输了里子” 。相较之下，都会是台积电 3nm 量产初期的主要客户 ，目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，应用范围涵盖高速运算 、旗下 3nm 应用有诸多客户参与，效能提升 30%，有信心 3nm 会持续赢得客户信赖 。将是“下个大成长节点” 。带来更优异的效能 。会有更多新的产品设计定案。三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm，台积电强调 ，台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局，

　　三星表示 ，

导致主要客户大幅转单台积电。三星以“3nm”为最新制程进度命名，正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。英伟达、表面上赢了面子 ，芯片体积减少 45% 。可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作
，联发科等大厂，预期 2024 年风险试产 ，

　　另一方面，

　　据台媒《经济日报》分析 ，预计首年相较 5nm 与 7nm，三星在对投资人释出的最新简报中透露  ，

　　分析师指出 ，业界传出，最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当，也就是在未来八周内启动量产程序，三星也未透露采用其 3nm 制程的客户 。3nm 今年下半年量产之后，且有良好的良率，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程 ，



　　业界人士分析 
，力图弯道超车，且是支持客户成长最适合的技术  。但未获三星证实。AMD、三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低，使整体耗电量降低 50%，目标 2025 年量产 ，苹果 、