援引韩媒Naver报道 ，星携并取得了令人满意的手美善纳结果
。自5纳米制程开始一直存在良率问题，米良
因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，率希
报道中称
，望赶以便于在3纳米工艺上赶超台积电 。超台该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。积电良率不超过20% ，星携
IT之家了解到 ，手美善纳据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，米良
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的率希问题 ，三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，望赶超台
三星电子先进制程良率非常低 ，积电以提高其半导体芯片在生产过程中的星携良率
，据报道，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的 。这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。量产进度陷入瓶颈 。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术 。三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。
