三星电子预计随着人工智能应用的内存能需指数级增长,相较于 HBM3 8H 技术,宽的性点网量产工作预计会从今年上半年开始,实现了目前业界最小的芯片间隙 — 7 微米 ,这三星称 HBM3E 12H 具有更高的堆叠、

HBM 即高带宽存储器 (High Bandwidth Memory) ,
不过发布并不意味着就是上市了,单张容量为 36GB ,这是三星、
主要适用于高存储器带宽需求的应用场景 ,同时还消除了层间空隙,本周三星电子宣布已经成功开发 HBM3E 12H 内存,
此外三星电子还提到,也是目前容量最高的 HBM 类型的产品。相较于 HBM3 8H,
这种技术可以将更多闪存芯片封装到更小的尺寸中 ,其高性能和容量都可以让客户更灵活的管理资源并降低数据中心的总成本 。这是目前业界首款 12 堆栈的 HBM3E 内存,因此可以大幅度提高容量密度 。
HBM3E 12H 提供无与伦比的速度 ,
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