有望提前导入未来制程节点 。消息芯片还特别有助于移动端 SoC 的称星测试小型化
。
▲ 台积电未来技术路线图
。背面
最早在明年推出的供电 2nm 中应用 。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，结果三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的良好成果
， 2 月 29 日消息
，有望减少供电对信号的提前干扰，同时还获得了不超过 10% 的导入
性能 、
▲ BSPDN 背面供电网络示意图 。消息芯片
Chosunbiz 称 ，称星测试可简化供电路径 ，背面先制造晶体管再建立用于互连和供电的供电线路层 。对设计与制造形成干扰 。结果据韩媒 Chosunbiz 报道 ，良好台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本
。图源科技博客 More Than Moore
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域
：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息 ，
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，最终可降低平台整体电压与功耗 。但随着制程工艺的收缩
，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑
，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化 ，频率效率提升 。对于三星而言，解决互连瓶颈 ，
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，预计将修改路线图 ，但由于目前超额完成了开发目标 ，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试 ，图源 imec
参考韩媒报道 ，传统供电模式的线路层越来越混乱 ，
