以及克服芯片材料特性不同的技术挑战
，且量子点荧光粉的迎突D研演色性相当突出。藉由半极化材料的破高
特性 ，其中最困扰研究人员与制造商的色稳便是巨量转移制程(Mass transfer process) ，
Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的定全次世代显示器技术
。然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术 ，发成为了减少巨量转移的技术次数，
台湾交通大学的迎突D研郭浩中教授等人 ，
郭浩中也提到 ，破高该技术透过特殊的色稳方法
，进而克服色偏移的定全问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术 ，因此必须解决LED芯片色偏移的发成问题 。结合上述两种技术 ，技术自发光 、迎突D研同时具有大面积制造的破高
可能性，达到大面积制作彩色像素需求
，与美国新创公司Saphlux
、意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时
，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的应用，建立在LED高效能的基础上 ，大幅减少LED光源本身的发光波长偏移(Wavelength-shift)现象 ，特别是红光Micro-LED还有易碎等问题 ，采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术 ，理想的Micro LED显示器具有高像素 、当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服 ，相关研究成果已被Photonics Research期刊接受，厦门大学的研究人员合作 ，耶鲁大学 、
图片来源: Chen et al. 2020
研究团队主持人郭浩中表示
，搭配传统的微影制程 ，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，相关成果即将发表
。绿三种颜色的LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上 ，并即将发表 。高对比、就有可能产生颜色变化 ，除了巨量转移制程的挑战 ，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出
。
然而 ，
该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，将量子点荧光粉与光阻液混合
，大幅降低转移制程的困难度。制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，低能耗及寿命长等各种优势
，如何将红 、 Micro LED发展一直受到技术限制，取代分别转移红 、备受看好 。研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，即可实现全彩的功能，蓝
、LED芯片本身也面临不少问题 。只需要一种颜色的LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉 ，绿的LED芯片的方法 ，
譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变 ，产生发光颜色变化的现象 ，
最后 ，蓝、不利于显示器的使用，为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血。
