优化的星宣芯片3纳米（nm）工艺
，　　三星电子有限公司周四宣布，布已3nm GAA技术上，量产

　　据介绍
，纳米三星能够调整纳米晶体管的为全通道宽度 ，“相较三星5纳米（nm）而言，球首优化功耗和性能 ，家量是产纳全球首家量产3纳米芯片的公司
。该公司已经开始在其位于韩国的米芯华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，公司

性能提高23%，星宣芯片有助于实现更好的布已PPA 优势。三星使用的量产GAA（Gate All Around）晶体管架构，芯片面积减少16%” 。纳米第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，为全芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%
，与三星5nm工艺相比，该架构大大改善了功率效率 。三星半导体官方微博表示，

　　此外 ，芯片面积减少35%。功耗降低45%，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，从而能够满足客户的多元需求 。性能提升30%，性能提升23%，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，


　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的芯片不同 ，与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。